 ผลิตภัณฑ์> ตัวรับสัญญาณ IR> 850nm IR LED Emitter ตัวรับคู่ขนาดเล็ก

850nm IR LED Emitter ตัวรับคู่ขนาดเล็ก

รับราคาล่าสุด

ติดต่อตอนนี้

ชนิดการชำระเงิน: T/T,Paypal,Western Union
Incoterm: FOB,EXW,FCA
สั่งขั้นต่ำ: 5000 Piece/Pieces
การเดินทาง: Ocean,Land,Air
ท่าเรือ: SHENZHEN

ความสามารถในการจัดหาและข้อมูลเพิ่มเติม

Additional Information

บรรจุภัณฑ์: กล่องกระดาษ

ผลผลิต: 1000000000 pcs/week

การเดินทาง: Ocean,Land,Air

สมุฏฐาน: ประเทศจีน

สนับสนุน: 7000000000 pcs/week

ใบรับรอง: GB/T19001-2008/ISO9001:2008

HS Code: 8541401000

ท่าเรือ: SHENZHEN

ชนิดการชำระเงิน: T/T,Paypal,Western Union

Incoterm: FOB,EXW,FCA

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

หมายเลขรุ่น: 1206PT850D &1206IRC-85L

แบรนด์: LED ที่ดีที่สุด

บรรจุภัณฑ์ และการจัดส่ง

หน่วยงาน ที่ขาย:	Piece/Pieces
ชนิดของแพคเกจ:	กล่องกระดาษ

บริษัท วิดีโอ



พิมพ์ LED เจาะรูเป็นแถบรีล

คำอธิบายผลิตภัณฑ์

- ตัวรับ IR -

1206PT850D และ 1206IRC-85L

ด้านบนมี LED สองชนิดสีขาวคือตัวส่งสัญญาณอินฟราเรด LED 850 นาโนเมตรและสีดำคือตัวรับสัญญาณ IR ของประเภทมุมมองด้านบน LED 850 นาโนเมตรที่สามารถตั้งชื่อเป็นไดโอดภาพถ่าย 850 นาโนเมตร ในวงจรตัวปล่อย LED 850 นาโนเมตรจะปล่อยสัญญาณจากนั้นตัวรับ IR จะรับ โดยปกติแล้วตัวรับสัญญาณ IR จะบรรจุเป็นเลนส์สีดำเพื่อกรองแสงพิเศษบางส่วนของเราซึ่งจะช่วยให้มั่นใจได้ว่าสามารถรับสัญญาณที่เราต้องการได้ สำหรับตัวรับสัญญาณ IR ยังมีรูปทรงอื่น ๆ ให้เลือกเช่นด้านบนกลม 3 มม. ด้านบนกลม 5 มม. 3528 SMD LED ประเภท ect

1206 smd led

- Size: 2.0*1.25*0.8mm

- Chip Number: 1 chip

- Color: 850nm LED

- Type: Surface mount device

- Chip brand: Epistar

- Polarity Mark

- Different color are available

- Different wavelength are available

- Warranty: 5 Years

- RoHS, REACH, EN62471

- Uniform light output

- Long life-solid state reliability

- Low Power consumption

-Anti UV epoxy resin package

-High temperature resistance

-พารามิเตอร์มิติ-

1206 smd ir 850nm size

1206 smd 850nm receiver size

เคส LED SMD เหล่านี้มีให้สำหรับ IR LED, UV LED, Blue SMD LED, Red SMD LED, Amber LED ect

- เปล่งแสงสี -

850nm IR LED 1206SMD

* สีในภาพถ่ายโดยกล้องโปรดใช้สีที่เปล่งออกมาจริงตามมาตรฐาน

- พารามิเตอร์ทางไฟฟ้า -

คะแนนสูงสุดแน่นอนที่ Ta = 25 ℃

Parameter	Symbol	Rating
Power Dissipation	Pd	50mW
Pulse Forward Current	IFP	100mA
Forward Current	IF	30mA
Reverse Voltage	VR	5V
Junction Temperature	Tj	115°C
Operating Tempertature	Topr	-40 - +80°C
Storage Tempertature	Tstg	-40 - +100°C
Soldering Temperature	Tsol	260°C
Electro-Static-Discharge(HBM)	ESD	2000v
Warranty	Time	2Years
Antistatic bag	Piece	3000Back
*Pulse Forward Current Condition:Duty 1% and Pulse Width=10us.
*Soldering Condition:Soldering condition must be completed with 3 seconds at 260°C

ลักษณะทางแสงและไฟฟ้า ( T c = 25 ℃ )

Parameter	Symbol	Min	Typ	Max	Unit	Test Condition
Forward Voltage	VF	1.3		1.6	V	IF=30mA
Pulse Forward Voltage	VF		2.0		V	IFP=100mA
Radiant Intensity	IE	2.3		4.8	mw/sr	IF=30mA
Peak Wavelength	λP	845	850	858	nm	IF=30mA
Total Radiated Power	PO		3.2		mw	IF=30mA
Half Width	Dl		50		nm	IF=30mA
Viewing Half Angle	2q1/2		±70		deg	IF=30mA
Reverse Current	IR			5	uA	VR=5V
Rise Time	Tr		25		ns	IF=30mA
Fall Time	Tf		13		ns	IF=30mA
*Luminous Intensity is measured by ZWL600.
*q1/2 is the off-axis angle at which the luminous intensity is half the axial luminous intensity.
*lD is derived from the CIE chromaticity diagram and represents the single wavelength which defines the color of the device.

1206 smd ตัวรับ

Parameter	Symbol	Min	Typ	Max	Unit	Test Condition
Collector-Emitter Voltage	VCEO			30	V
Emitter-Collector Voltage	VECO			5	V
Collector Dark Current	ICEO			30	nA	VCE=20V Ee=0mw/cm2
Collector Dark Current	ICEO			150	uA	VCE=70V Ee=0mw/cm2
On State Collector Current	IC(on)		0.7	4	mA	Ee=1mw/cm2 Vce=5v
Collector-Emitter Breakdown Voltage	Bvceo	85			V	ICBO=100uA Ee=0mw/cm2
Emitter-Collector Breakdown Voltage	Bvceo	8.2			V	IECO=10uA
Collector-Emitter Saturation Voltage	VCE(sat)			0.3	V	IC=2mA IB=100uA Ee=1mw/cm2
Photocurrent 1	IPCE	300		400	uA	Vce=5V Ee=1mw/cm2 λP=850nm
Photocurrent 2	IPCE	500		600	uA	VCE=5V Ee=1mw/cm2 λP=940nm
Current gain	hFE	200		3000	uA	VCE=5V IC=2mA
Wavelenghth of Peak Sensitivity	λP		850		nm
Range of Spectral Bandwidth	λ0.5	700		1100	nm
Response Time-Rise Time	tR		15		us	Vce=5v Ic=1mA RL=1000Ω
Response Time-Fall Time	tF		15		us	Vce=5v Ic=1mA RL=1000Ω
Half Sensitivity angle	△λ		±10		deg
Collector-base Capacitance	CCB			8	PF	F=1MHz,VCB=3V

- การเชื่อมต่อสายไฟสีทอง -

* เพื่อให้อายุการใช้งานยาวนานของ LED ทุกชิ้นโรงงาน BestLED ใช้ลวดทองคำบริสุทธิ์สูงสำหรับการเชื่อมต่อวงจรภายใน

- การบรรจุ -

* เราบรรจุด้วยการบรรจุสูญญากาศหลังจากเทปเป็นม้วน

- ใบสมัคร -

- LED ที่เกี่ยวข้อง -

- การผลิต -

- ใช้ -

SMD LED Use of attention

ได้รับการติดต่อ

If you have any questions our products or services,feel free to reach out to us.Provide unique experiences for everyone involved with a brand.we’ve got preferential price and best-quality products for you.

Category: ตัวรับสัญญาณ IR

 ผลิตภัณฑ์> ตัวรับสัญญาณ IR> 850nm IR LED Emitter ตัวรับคู่ขนาดเล็ก