- 940nm แม้ว่าหลุม IRLED -

มุมที่ต่างกันจะทำให้ได้แสงที่ต่างกัน ยิ่งความกว้างของลำแสงแคบลงเท่าใด ระยะการแผ่รังสีก็จะยิ่งยาวขึ้นเท่านั้น ใน ทางตรงกันข้าม ยิ่งความกว้างของลำแสงกว้าง พื้นที่ผิวของแสงก็จะใหญ่ขึ้น มีมุมมองประเภทต่างๆ ในโรงงาน LED ที่ดีที่สุดให้คุณเลือก เพื่อให้คุณสามารถเลือกรูปแบบใดก็ได้สำหรับแอปพลิเคชันของคุณ ในตลาด คนส่วนใหญ่ใช้ 850nm LED หรือ 940nm LED สำหรับกล้องมองกลางคืน ถ้าอย่างนั้นคุณอาจสงสัยว่า LED 810nm ไม่สามารถทำงานได้หรือไม่? ความน่าเชื่อถือคือ LED 810nm เหล่านี้ไม่เพียง แต่สามารถใช้ในอุปกรณ์มองเห็นตอนกลางคืนเท่านั้น แต่ยังสามารถทำงานได้ดีกว่า LED 850nm ซึ่งสามารถแทนที่ LED 850nm และเพิ่มการจดจำใบหน้าผู้คน เช่นเดียวกับหลอด LED แบบเจาะรูทั้งหมด หลอดไฟ LED อินฟราเรดขนาด 810 นาโนเมตรนี้ยังมีรูปแบบการรับชมให้คุณเลือกอีกด้วย: LED 5 องศา 810 นาโนเมตร, LED 20 องศา 810 นาโนเมตร, 30 องศา 810 นาโนเมตร LED, 60 องศา 810 นาโนเมตร LED, 90 องศา 810 นาโนเมตร LED ฯลฯ โดยปกติ LED 940nm จะบรรจุด้วยขนาด LED แบบรูทะลุ 5 มม. หรือเคส LED SMD อื่น ๆ แต่สำหรับบางโครงการ คนต้องใช้เลนส์ที่ใหญ่ขึ้นเพื่อเพิ่มพื้นที่การแผ่รังสี คุณต้องการ LED 810nm ที่มีราคาที่แข่งขันได้มากขึ้นหรือไม่? ติดต่อเราตอนนี้!

- ขนาด 3 มม. IR LED รูทะลุ -

* กรณีนี้ยังมีให้สำหรับ LED อื่น ๆ เช่น LED ผ่านรูสีเขียว 5 มม., LED UV, LED 660nm, LED 940nm, LED ทะลุผ่านสีน้ำเงิน 5 มม., LED สีเหลือง, LED สีเหลืองอำพัน ฯลฯ *

- LED IR ทำงานทะลุผ่านรู -

*สีในภาพถ่ายด้วยกล้องถ่ายภาพ โปรดใช้สีที่เปล่งแสงจริงเป็นมาตรฐาน

- พารามิเตอร์ IR LED ผ่านรู -

Parameter	Symbol	Min	Typ	Max	Unit	Test Condition
Collector-Emitter Voltage	VCEO			30	V
Emitter-Collector Voltage	VECO			5	V
Collector Dark Current	ICEO			30	nA	VCE=20V Ee=0mw/cm2
Collector Dark Current	ICEO			150	uA	VCE=70V Ee=0mw/cm2
On State Collector Current	IC(on)		0.7	4	mA	Ee=1mw/cm2 Vce=5v
Collector-Emitter Breakdown Voltage	Bvceo	85			V	ICBO=100uA Ee=0mw/cm2
Emitter-Collector Breakdown Voltage	Bvceo	8.2			V	IECO=10uA
Collector-Emitter Saturation Voltage	VCE(sat)			0.3	V	IC=2mA IB=100uA Ee=1mw/cm2
Photocurrent 1	IPCE	300		400	uA	Vce=5V Ee=1mw/cm2 λP=850nm
Photocurrent 2	IPCE	500		600	uA	VCE=5V Ee=1mw/cm2 λP=940nm
Current gain	hFE	2000		3000	uA	VCE=5V IC=2mA
Wavelenghth of Peak Sensitivity	λP		940		nm
Range of Spectral Bandwidth	λ0.5	700		1100	nm
Response Time-Rise Time	tR		15		us	Vce=5v Ic=1mA RL=1000Ω
Response Time-Fall Time	tF		15		us
Half Sensitivity angle	△λ		±10		deg
Collector-base Capacitance	CCB			8	PF	F=1MHz,VCB=3V

* เพื่อรักษาอายุการใช้งานที่ยาวนานของ LED ทุกดวง โรงงาน BestLED จึงใช้ลวดทองคำบริสุทธิ์สูงสำหรับการเชื่อมต่อวงจรภายใน

- IR LED บรรจุ -

*เราสามารถแพ็ค LED นี้กับแพ็คเกจจำนวนเท่าใดก็ได้ และติดเทปหรืองอหมุด LED ตามความต้องการของคุณ

- LED อินฟราเรดที่เกี่ยวข้อง -

- กระบวนการผลิต -

- ไฟ LED IR แบบเจาะรู -