Shenzhen Best LED Opto-electronic Co. , Ltd นำเสนอ LED ที่มีความยาวคลื่นแตกต่างกันตั้งแต่ 365 นาโนเมตรถึง 1550 นาโนเมตร สำหรับ LED อินฟราเรดความยาวคลื่นสามารถเป็น: 660nm 680nm 690nm 700nm 710nm 720nm 730nm 740nm 750nm 760nm 770nm 780nm 800nm ​​810nm 820nm 830nm 850nm 860nm 870nm 880nm 890nm 900nm 905nm 910nm 920nm 940nm 950nm 970nm 980nm 1000nm 1020 สำหรับ UV LED ความยาวคลื่นสามารถเป็น 365nm 370nm 380nm 390nm 400nm 410nm 420nm 430nm เป็นต้นนอกจากนี้ยังมีความยาวคลื่นอื่น ๆ ซึ่งทำโดย ชิปอินฟราเรดวัสดุ AlGaAs / AlGaAs LED เหล่านี้มีประสิทธิภาพการทำงานที่มั่นคงและอายุการใช้งานยาวนาน 3528 SMD LED 750nm เป็นไดโอดเปล่งแสงอินฟราเรดประสิทธิภาพสูงใน GaAlAs บนเทคโนโลยี GaAs ซึ่งขึ้นรูปด้วยบรรจุภัณฑ์พลาสติกสีขาวใสและใสเมื่อเปรียบเทียบกับ GaAs มาตรฐานบนเทคโนโลยี GaAs ตัวปล่อยเหล่านี้บรรลุได้มากกว่า การปรับปรุงพลังงานเรดิ 100% ที่ความยาวคลื่นใกล้เคียงกัน แรงดันไฟฟ้าไปข้างหน้าที่กระแสไฟฟ้าต่ำและที่กระแสพัลส์สูงโดยประมาณสอดคล้องกับค่าต่ำของเทคโนโลยีมาตรฐาน ดังนั้นตัวปล่อยเหล่านี้จึงเหมาะอย่างยิ่งสำหรับการเปลี่ยนอิมิตเตอร์มาตรฐานที่มีประสิทธิภาพสูง ความทนทานต่อความยาวคลื่น LED อินฟราเรดจุดแดงอยู่ที่± 10 นาโนเมตร คู่ IR

- พารามิเตอร์ มิติ -

เคส LED SMD เหล่านี้มีให้สำหรับ IR LED, UV LED, Blue SMD LED, Red SMD LED, Amber LED ect

- เปล่งแสงสี -

- พารามิเตอร์ทางไฟฟ้า -

คะแนนสูงสุดแน่นอนที่ Ta = 25 ℃

Parameter	Symbol	Rating
Power Dissipation	Pd	270mW
Pulse Forward Current	IFP	350mA
Forward Current	IF	100mA
Reverse Voltage	VR	5V
Junction Temperature	Tj	115°C
Operating Tempertature	Topr	-40 - +80°C
Storage Tempertature	Tstg	-40 - +100°C
Soldering Temperature	Tsol	260°C
Electro-Static-Discharge(HBM)	ESD	2000v
Warranty	Time	5Years
Antistatic bag	Piece	2000Back
*Pulse Forward Current Condition:Duty 1% and Pulse Width=10us.
*Soldering Condition:Soldering condition must be completed with 3 seconds at 260°C

ลักษณะทางแสงและไฟฟ้า ( T c = 25 ℃ )

Parameter	Symbol	Min	Typ	Max	Unit	Test Condition
Forward Voltage	VF	2.2		2.7	V	IF=100mA
Pulse Forward Voltage	VF		3.6		V	IFP=350mA
Radiant Intensity	IE	50		70	mw/sr	IF=100mA
Peak Wavelength	λP	750	755	760	nm	IF=100mA
Total Radiated Power	PO		5.6		mw	IF=100mA
Half Width	Dl		50		nm	IF=100mA
Viewing Half Angle	2q1/2		±60		deg	IF=100mA
Reverse Current	IR			5	uA	VR=5V
Rise Time	Tr		25		ns	IF=100mA
Fall Time	Tf		13		ns	IF=100mA
*Luminous Intensity is measured by ZWL600.
*q1/2 is the off-axis angle at which the luminous intensity is half the axial luminous intensity.
*lD is derived from the CIE chromaticity diagram and represents the single wavelength which defines the color of the device.

- LED 750 นาโนเมตร -

- การเชื่อมต่อสายไฟสีทอง -

* เพื่อให้อายุการใช้งานยาวนานของ LED ทุกชิ้นโรงงาน BestLED ใช้ลวดทองคำบริสุทธิ์สูงสำหรับการเชื่อมต่อวงจรภายใน

- การบรรจุ -

* เราบรรจุด้วยการบรรจุสูญญากาศหลังจากเทปเป็นม้วน

- ใบสมัคร -

- IR LED ที่เกี่ยวข้อง -

- การใช้งาน LED 750nm -