- LED 660 นาโนเมตร -

5050FRC-66L / 14

0.2W SMD LED 5050 3 ชิป 660nm LED เป็นไดโอดเปล่งแสงสีแดงเข้มซึ่งใช้กันอย่างแพร่หลายในอุตสาหกรรมความงามการเจริญเติบโตของพืชอาหารเสริมหรือการใช้งานพิเศษอื่น ๆ เนื่องจากต้นทุนของ LED 660nm LED สีแดงเหล่านี้จึงไม่เป็นที่นิยมในโครงการไฟ LED หรือหลอดไฟ LED อย่างไรก็ตาม LED 660nm ยังคงได้รับความนิยมเนื่องจากมีผลกระทบ เปรียบเทียบกับไฟ LED แบบทะลุผ่านรูที่มี 660nm, 660nm SMD LED จะมีประสิทธิภาพที่ดีกว่าในการกระจายความร้อน ในทางกลับกัน SMD LED ยังมีขนาดที่เล็กกว่า LED แบบรูทะลุซึ่งเหมาะกับบอร์ด PCB และเครื่องเชื่อมอัตโนมัติได้ง่ายกว่า ดังที่เราทราบมีสามตำแหน่งใน 5050 SMD LED ดังนั้น 5050 SMD LED case บรรจุ 3 ชิปภายใน. สำหรับบางโครงการชิปเพียงตัวเดียวอาจไม่สามารถเข้าถึงข้อกำหนดนั้นได้ เพื่อเพิ่มเอาต์พุตและการแผ่รังสีของ LED หนึ่งตัวเราจะบรรจุชิป LED 3 ตัวเดียวกันลงใน LED 5050 SMD เพื่อให้ได้รังสีหรือความสว่างที่แรงขึ้น มีชิป LED หลายชนิดที่สามารถบรรจุใน LED 5050 SMD หนึ่งตัวซึ่งอาจเป็นชิป 3 ตัวหรือชิปเดียวกัน 3 ตัว ขึ้นอยู่กับความต้องการของคุณโดยสิ้นเชิง หากชิป LED 660 นาโนเมตรตัวเดียวไม่สามารถตอบสนองความต้องการของคุณได้อันนี้จะไม่ทำให้คุณผิดหวัง เอาท์พุทแสงที่สม่ำเสมอความน่าเชื่อถือในสถานะของแข็งที่มีอายุการใช้งานยาวนานและการใช้พลังงานต่ำล้วนเป็นข้อดีของ 3 ชิป LED SMD ขนาด 660 นาโนเมตรนี้ ติดต่อเราเพื่อขอรายละเอียดเพิ่มเติม ~

- พารามิเตอร์ มิติ -

เคส LED SMD เหล่านี้มีให้สำหรับ IR LED, UV LED, Blue SMD LED, Red SMD LED, Amber LED ect

- เปล่งแสงสี -

- พารามิเตอร์ทางไฟฟ้า -

คะแนนสูงสุดแน่นอนที่ Ta = 25 ℃

Parameter	Symbol	Rating
Power Dissipation	Pd	180mw
Pulse Forward Current	IFP	300mA
Forward Current	IF	60mA
Reverse Voltage	VR	5V
Junction Temperature	Tj	115°C
Operating Tempertature	Topr	-40 - +80°C
Storage Tempertature	Tstg	-40 - +100°C
Soldering Temperature	Tsol	260°C
Electro-Static-Discharge(HBM)	ESD	3000v
Warranty	Time	5Years
Antistatic bag	Piece	1000Back
*Pulse Forward Current Condition:Duty 1% and Pulse Width=10us.
*Soldering Condition:Soldering condition must be completed with 3 seconds at 260°C

ลักษณะทางแสงและไฟฟ้า ( T c = 25 ℃ )

Parameter	Symbol	Min	Typ	Max	Unit	Test Condition
Forward Voltage	VF	1.8	1.9	2.3	V	IF=60mA
		1.9	2.1	2.4	V	IF=180mA
		2.0	2.2	2.5	V	IF=300mA
Luminous Intensity	ΦVI	2.7		3.8	lm	IF=60mA
		9		13	lm	IF=180mA
		12		18	lm	IF=300mA
Lumiuous Power	PO	35		55	mw	IF=60mA
		120		180	mw	IF=180mA
		200		300	mw	IF=300mA
Peak Wavelength	λP	655	660	665	nm	IF=60mA
Dominant Wavelenth	λd	640	645		nm	IF=60mA
Half Width	Dl		17		nm	IF=60mA
Viewing Half Angle	2q1/2		±60		deg	IF=60mA
Reverse Current	IR			5	uA	VR=5V
*Luminous Intensity is measured by ZWL600.
*q1/2 is the off-axis angle at which the luminous intensity is half the axial luminous intensity.
*lD is derived from the CIE chromaticity diagram and represents the single wavelength which defines the color of the device.

- การเชื่อมต่อสายไฟสีทอง -

- การบรรจุ -

* เราบรรจุด้วยการบรรจุสูญญากาศหลังจากเทปเป็นม้วน

- ใบสมัคร -

- LED สีแดงที่เกี่ยวข้อง -

- การผลิต -

- 660nm SMD LED ใช้ -