- 3528 SMD LED -

3528FIRC-85L14I100

อินฟราเรด IR 810nm LED ใช้กับการตรวจสอบแสงอินฟราเรดการจดจำม่านตาการชำระเงินด้วยใบหน้าหน้าจอสัมผัสอินฟราเรดการวัดและการควบคุมเครื่องพิมพ์ความร้อนและอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์อื่น ๆ ใกล้อินฟราเรด LED พลังงานสูง 720nm / 810nm / 820nm / 830nm / 840nm / 860nm บริษัท ออปโตอิเล็กทรอนิกส์ LED ที่ดีที่สุดของเซินเจิ้นสามารถบรรจุหีบห่อ LED ขนาด 810 นาโนเมตรนี้ด้วยเคสที่แตกต่างกันเช่น: LED อินฟราเรด 10 มม., LED ผ่านรู 8 มม., LED 5 มม. LED กระจาย ect 2835FIRC-81L / 14I100 เป็น ไดโอดเปล่งแสงอินฟราเรดประสิทธิภาพสูง ใน GaAlAs บนเทคโนโลยี GaAs ซึ่งขึ้นรูปด้วยบรรจุภัณฑ์พลาสติกใสสีขาวใส เมื่อเปรียบเทียบกับ GaAs มาตรฐานบนเทคโนโลยี GaAs ตัวปล่อยเหล่านี้สามารถปรับปรุงพลังงานการแผ่รังสีได้มากกว่า 100% ที่ความยาวคลื่นใกล้เคียงกัน แรงดันไฟฟ้าไปข้างหน้าที่กระแสไฟฟ้าต่ำและที่ กระแส พัลส์สูง โดยประมาณสอดคล้องกับค่าต่ำของ เทคโนโลยีมาตรฐาน ดังนั้นตัวปล่อยเหล่านี้จึง เหมาะอย่างยิ่งสำหรับการเปลี่ยนอิ มิตเตอร์มาตรฐานที่ มีประสิทธิภาพ สูง อะไรคือความแตกต่างระหว่างอินฟราเรด SMD LED และอินฟราเรด Through-hole LED? มุมคือจุดที่แตกต่างกันมากที่สุด ดังที่เราทราบกันดีว่า SMD LED เป็นชื่อย่อของอุปกรณ์ยึดพื้นผิวซึ่งหมายความว่ามีเลนส์ระนาบสำหรับ LED เหล่านี้เป็นส่วนใหญ่ (หากคุณต้องการให้ SMD LED มีมุมจริงๆเราสามารถเพิ่มเลนส์ที่ด้านบนของ LED SMD ได้เมื่อเรา เสร็จสิ้นการผลิต) ในทางกลับกันสำหรับ LED ผ่านรูมีมุมให้คุณเลือกมากมายเช่น 10 องศา 30 องศา 45 องศา 60 องศาเป็นต้นคุณจะมีระยะการแผ่รังสีที่ยาวขึ้นเมื่อคุณเลือกมุมที่แคบกว่าสำหรับ LED ผ่านรู

- พารามิเตอร์ มิติ -

เคส LED SMD เหล่านี้มีให้สำหรับ IR LED, UV LED, Blue SMD LED, Red SMD LED, Amber LED ect

- เปล่งแสงสี -

* สีในภาพถ่ายโดยกล้องโปรดใช้สีที่เปล่งออกมาจริงตามมาตรฐาน

- พารามิเตอร์ทางไฟฟ้า -

Parameter	Symbol	Rating
Power Dissipation	Pd	200mw
Pulse Forward Current	IFP	500mA
Forward Current	IF	100mA
Reverse Voltage	VR	5V
Junction Temperature	Tj	115°C
Operating Tempertature	Topr	-40 - +80°C
Storage Tempertature	Tstg	-40 - +100°C
Soldering Temperature	Tsol	260°C
Electro-Static-Discharge(HBM)	ESD	3000v
Warranty	Time	5Years
Antistatic bag	Piece	2000Bag
*Pulse Forward Current Condition:Duty 1% and Pulse Width=10us.
*Soldering Condition:Soldering condition must be completed with 3 seconds at 260°C

Parameter	Symbol	Min	Typ	Max	Unit	Test Condition
Radiant Intensity	Ee		5	8	mw/sr	IF=20mA
		20		30		IF=50mA
		40		50		IF=100mA
Viewing Angle	2q1/2		120		deg	IF=50mA
Peak Wavelength	λp	850	855	865	nm	IF=50mA
Spectral Bandwidth	Dl		50		nm	IF=50mA
Forward Voltage	VF	1.2	1.35	1.6	V	IF=20mA
		1.3	1.55	1.7		IF=50mA
		1.6	1.7	2.0		IF=100mA
Reverse Current	IR			5	uA	VR=5V
*Luminous Intensity is measured by ZWL600.
*2q1/2 is the off-axis angle at which the luminous intensity is half the axial luminous intensity.
*lD is derived from the CIE chromaticity diagram and represents the single wavelength which defines the color of the device.

- การเชื่อมต่อสายไฟสีทอง -

- การบรรจุ -

* เราบรรจุด้วยการบรรจุสูญญากาศหลังจากเทปเป็นม้วน

- ใบสมัคร -

- IR LED ที่เกี่ยวข้อง -

- การผลิต -

- ใช้ -